一、个人简介
王来源博士，国家级海外高层次青年人才引进计划，中山大学柔性电子学院副教授（一级），正高级研究员，博士生导师，博士后合作导师，柔性光电器件中心主任。研究兴趣包括微纳光电信息器件、光电器件集成系统、柔性电子、神经信号感知与探测、透射电子/扫描探针显微镜等原位探测纳米技术。近五年来，以第一或通讯作者身份在包括Nature Materials（2）、Nature Nanotechnology、Matter、Nano Letters、Advanced Materials等国际顶级学术期刊发表研究论文三十余篇，多项科研成果被Nature Nanotechnology、Nature Review Chemistry等国际顶级学术期刊广泛引用并报导，申请授权专利5项，美国专利1项。受邀担任Nature Communications、Advanced Materials等国际主流期刊审稿人，Sensor客座编辑。FlexMat、Materials Today Electronics、Information & Functional Materials等杂志青年编委。承担国家级、省部级科研项目6项。国际先进材料学会会士。担任光电材料与技术全国重点实验室固定成员、江苏省柔性电子重点实验室、湖南省超微结构和超快过程重点实验室学术委员会委员。
电子邮箱：wangly257@mail.sysu.edu.cn / iamlaiyuanwang@126.com
二、研究领域
微纳光电信息器件：高性能新功能光电器件、神经形态器件及其集成系统、自旋电子器件等；
新奇半导体制备、加工与改性；
柔性电子：植入式器件及神经元探测调控；
微观原位器件表征技术：球差高分辨透射电镜（Cs-STEM、4D-STEM）、扫描隧道显微镜（STM）等。
三、教育及科研工作经历
2023.06 - 至今 中山大学，柔性电子学院，副教授，正高级研究员，博士生导师
2018.01 - 2023.05 加州大学洛杉矶分校，二维半导体光电器件（导师：段镶锋教授）
2012.09 - 2017.12 南京邮电大学，半导体光电器件 （导师：黄维院士）
2008.09 - 2012.06 中国矿业大学，材料物理
四、团队发展愿景及招生信息
“微纳光电器件”研究团队由顶尖科学家们引领发展，致力于研究高性能、多功能新奇半导体微纳光电器件与系统，在微纳尺度利用原位、多场耦合表征手段探索新奇而有趣的现象与规律，发展面向“感知-存储-计算-调控”等新一代信息科学和神经感知调控等生命科学的集成器件系统。团队拥有浓厚的科研氛围、完备的实验条件和充足的科研经费，重视团队成员培养和发展，不断开拓进取、追求卓越。
欢迎有兴趣的同学们与团队老师联系，欢迎本科生进入实验室一起做科研项目，欢迎半导体、物理、微电子、材料学、光学、化学等背景学生报考和咨询研究生和博士生，欢迎有志于科研的博士后学者们加盟合作，支持并推荐同学们出国深造。
招生类别：对科研感兴趣的本科生、硕士生、博士生、博士后、联合培养学生，热忱欢迎加盟共同探索！
五、部分代表性成果
Bulk-heterojunction doping in lead halide perovskites for low-resistance metal contacts. Laiyuan Wang†, Boxuan Zhou†, Qi Qian, Yihong Ye, Huan Wu, Bangyao Hu, Peiqi Wang, Ao Zhang, Zhong Wan, Dehui Zhang, Kijoon Bang, Shuanghao Zheng, Aamir Hassan Shah, Jingxuan Zhou, Yiliu Wang, Yu Huang, Xiangfeng Duan. Nat. Mater. (2026) doi.org/10.1038/s41563-026-02485-x.
Interlayer reconstruction phase transition in van der Waals materials. Junwei Zhang†, Laiyuan Wang†*, Jingtao Lü†, Zhe Wang†, Huan Wu†, Guilin Zhu, Nan Wang, Fei Xue, Xue Zeng, Liu Zhu, Yang Hu, Xia Deng, Chaoshuai Guan, Chen Yang, Zhaoyang Lin, Peiqi Wang, Boxuan Zhou, Jin Lü, Wenguang Zhu, Xixiang Zhang, Yu Huang, Yong Peng* and Xiangfeng Duan*. Nat. Mater. 24.3 (2025): 369-376.
A general one-step plug-and-probe approach to top-gated transistors for probing delicate electronic materials. Laiyuan Wang, Peiqi Wang, Jin Huang, Bosi Peng, Chuancheng Jia, Qi Qian, Jingyuan Zhou, Dong Xu, Yu Huang, Xiangfeng Duan*. Nat. Nanotechnol. 17.11 (2022): 1206-1213.
Repair engineering of crystal structure in van der Waals materials by probe electron beam. Nan Wang, Shiyang Wei, Xia Deng, Tao Wang, Yaxing Zhang, Xinrui Zhao, Wang Hu, Xue Zeng, Chuang Ye, Xiaoke Mu, Junwei Zhang,* Laiyuan Wang*, Xixiang Zhang, Zhe Wang, Peng Zhang, Yong Peng*. Nano Lett. 24.35 (2024): 11028-11035.
Signal Filtering Enabled by Spike Voltage-Dependent Plasticity (SVDP) in MTPP/oxide Hybrid Memristors. Zhiyong Wang†, Laiyuan Wang† (contributed equally), Yiming Wu, Linyi Bian, Masaru Nagai, Ruolin Jv, Linghai Xie*, Qi Li, Mingdong Yi*, Naien Shi, Xiaogang Liu*. Adv. Mater. (2021): 2104370.
Rationally designing high-performance versatile organic memristors through molecule-mediated ion movements. Tao Zhang, Laiyuan Wang*, Weiwei Ding, Yunfeng Zhu, Haowen Qian, Jia Zhou, Ye Chen, Jiayu Li, Wen Li, Liya Huang, Chunyuan Song, Mingdong Yi*,. Adv. Mater. 35.40 (2023): 2302863.
Highly Reliable Low Voltage Memristive Switching and Artificial Synapse Enabled by van der Waals Integration. Jian Guo†, Laiyuan Wang† (contributed equally), Yuan Liu, Zipeng Zhao, Enbo Zhu, Zhaoyang Lin, Peiqi Wang, Chuancheng Jia, Shengxue Yang, Sung-Joon Lee, Yu Huang*, and Xiangfeng Duan*, Matter 2.4 (2020): 965-976.
SnSe/MoS2 van der Waals Heterostructure Junction Field-Effect Transistors with Nearly Ideal Subthreshold-Slope. Jian Guo†, Laiyuan Wang† (contributed equally), Yiwei Yu, Peiqi Wang, Yu Huang* and Xiangfeng Duan*, Adv. Mater. 31.49 (2019), 1902962.
