一、个人简介

      王来源博士，国家级海外高层次青年人才引进计划，中山大学柔性电子学院副教授（一级），正高级研究员，博士生导师，博士后合作导师，逸仙学者。博士毕业于柔性电子全国重点实验室，师从有机/柔性电子顶尖科学家黄维院士（https://sofe.sysu.edu.cn/zh-hans/teacher/169）；加州大学洛杉矶分校（UCLA）博士后，导师纳米电子顶尖科学家段镶锋（Xiangfeng Duan）教授（http://xduan.chem.ucla.edu/）。研究兴趣包括微纳光电信息器件、光电器件集成系统、有机/柔性电子器件、神经元信号感知与探测、透射电子/扫描探针显微镜和光谱等原位探测纳米技术。近五年来，以第一或通讯作者身份在包括Nature Materials、Nature Nanotechnology、Matter、Nano Letters、Advanced Materials等国际顶级学术期刊发表研究论文二十余篇，多项科研成果被Nature Nanotechnology、Nature Review Chemistry等国际顶级学术期刊广泛引用并报导，申请授权专利5项，美国专利1项。受邀担任Nature Communications、Advanced Materials等国际主流期刊审稿人，Sensor客座编辑。Materials Today Electronics (MTELEC)、Information & Functional Materials (IFM)等杂志青年编委。承担国家级、省部级科研项目5项。担任江苏省柔性电子重点实验室、湖南省超微结构和超快过程重点实验室学术委员会委员。光电材料与技术国家重点实验室固定成员。

       电子邮箱：wangly257@mail.sysu.edu.cn / iamlaiyuanwang@126.com

       

二、研究领域

  • 微纳光电信息器件：高性能晶体管、神经形态器件及其系统、自旋电子器件等；

  • 新奇半导体制备、加工与改性；

  • 柔性电子：柔性生物电子（植入式器件及神经元探测调控）、柔性智能通信电子；

  • 微观原位器件表征技术：球差高分辨透射电镜（Cs-STEM、4D-STEM、超快STEM）、扫描隧道显微镜（STM）、拉曼/瞬态光谱探测等。

 

三、教育及科研工作经历

  • 2023.06 - 至今        中山大学，柔性电子学院，副教授（一级），正高级研究员，博士生导师

  • 2018.01 - 2023.05  加州大学洛杉矶分校，二维半导体光电器件，博士后，导师段镶锋教授

  • 2012.09 - 2017.12  南京邮电大学柔性电子全国重点实验室，光电信息器件，博士，导师黄维院士

  • 2008.09 - 2012.06  中国矿业大学，材料物理，学士

 

四、团队发展愿景及招生信息

“微纳光电器件”研究团队由顶尖科学家们引领发展，致力于研究高性能、多功能半导体光电器件，在微纳尺度利用原位、多场耦合表征手段探索新奇而有趣的现象与规律，发展面向计算存储逻辑等新一代信息科学和神经感知类器官分化等生命科学的集成器件系统。团队拥有浓厚的科研氛围、完备的实验条件和充足的科研经费，重视团队成员培养和发展，不断开拓进取、追求卓越。

      欢迎有兴趣的同学们与团队老师联系，欢迎本科生进入实验室一起做科研项目，欢迎半导体、物理、微电子、材料学、光学、化学等背景学生报考和咨询研究生和博士生，欢迎有志于科研的博士后学者们加盟合作，支持并推荐同学们出国深造。

      招生类别：对科研感兴趣的本科生、硕士生、博士生、博士后、联合培养学生欢迎加盟！

 

五、部分代表性成果

      1、代表性学术成果：

  • 开发了高效普适的范德瓦尔斯集成电极与高k介电层的“即贴即测(plug-and-probe)”新技术，所制备的高k介电层和二维半导体具有理想的界面，基于此技术得到了具有大电流范围理想的亚阈值斜率理论极限的高性能晶体管；实现了铅卤钙钛矿晶体管最高的场效应迁移率（Nat. Nanotechnol. 17.11 (2022): 1206-1213）；

  • 基于具有理想界面的范德瓦尔斯p-n异质结，实现了具有理想亚阈值斜率理论极限和杰出的热稳定性的结型晶体管（JFET）（Adv. Mater. 31.49 (2019): 1902962）；基于范德瓦尔斯集成活性电极技术开发了银/超薄氧化层异质结基低电压高产率原子级超薄忆阻器（Matter 2.4 (2020): 965-976.）；

  • 发现了范德瓦尔斯材料不同于传统的层内滑移、扭曲的全新的层内劈裂-层间重组的相变方式，基于EELS变温技术在微观尺度解析了热电Peltier效应介导的相变传播方式；进一步解析了半导体丰富的多相结构及新颖的相变转化过程（Nat. Mater. (2025) DOI: https://doi.org/10.1038/s41563-024-02082-w；Nano Lett. 24.35 (2024): 11028-11035）；

  • 基于一类具有特定金属配位中心的平面有机卟啉分子，构建了分子精致调控氧阴离子迁移的高性能忆阻器，开发了新颖的幅值依赖可塑性，实现了具有信息过滤功能的器件阵列（Adv. Mater. (2021): 2104370.）；基于具有强吸电子集团的TCNQ分子构建了分子调控银阳离子迁移的高性能、多功能忆阻器，实现了基于单个器件的神经发放行为 （Adv. Mater. 35.40 (2023): 2302863)。

       2、部分发表论文：

  • Interlayer reconstruction phase transition in van der Waals materials. Junwei Zhang†, Laiyuan Wang†*, Jingtao Lü†, Zhe Wang†, Huan Wu†, Guilin Zhu, Nan Wang, Fei Xue, Xue Zeng, Liu Zhu, Yang Hu, Xia Deng, Chaoshuai Guan, Chen Yang, Zhaoyang Lin, Peiqi Wang, Boxuan Zhou, Jin Lü, Wenguang Zhu, Xixiang Zhang, Yu Huang, Wei Huang, Yong Peng* and Xiangfeng Duan*. Nat. Mater. (2025), DOI: https://doi.org/10.1038/s41563-024-02082-w.

  • A general one-step plug-and-probe approach to top-gated transistors for probing delicate electronic materials. Laiyuan Wang, Peiqi Wang, Jin Huang, Bosi Peng, Chuancheng Jia, Qi Qian, Jingyuan Zhou, Dong Xu, Yu Huang, Xiangfeng Duan*. Nat. Nanotechnol. 17.11 (2022): 1206-1213.

  • Repair engineering of crystal structure in van der Waals materials by probe electron beam. Nan Wang, Shiyang Wei, Xia Deng, Tao Wang, Yaxing Zhang, Xinrui Zhao, Wang Hu, Xue Zeng, Chuang Ye, Xiaoke Mu, Junwei Zhang,* Laiyuan Wang*, Xixiang Zhang, Zhe Wang,  Peng Zhang, Yong Peng*. Nano Lett. 24.35 (2024): 11028-11035.

  • Signal Filtering Enabled by Spike Voltage-Dependent Plasticity (SVDP) in MTPP/oxide Hybrid Memristors. Zhiyong Wang†, Laiyuan Wang† (contributed equally), Yiming Wu, Linyi Bian, Masaru Nagai, Ruolin Jv, Linghai Xie*, Qi Li, Mingdong Yi*, Naien Shi, Xiaogang Liu* and Wei Huang*. Adv. Mater. (2021): 2104370.

  • Rationally designing high-performance versatile organic memristors through molecule-mediated ion movements. Tao Zhang, Laiyuan Wang*, Weiwei Ding, Yunfeng Zhu, Haowen Qian, Jia Zhou, Ye Chen, Jiayu Li, Wen Li, Liya Huang, Chunyuan Song, Mingdong Yi*, Wei Huang*. Adv. Mater. 35.40 (2023): 2302863.

  • Highly Reliable Low Voltage Memristive Switching and Artificial Synapse Enabled by van der Waals Integration. Jian Guo†, Laiyuan Wang† (contributed equally), Yuan Liu, Zipeng Zhao, Enbo Zhu, Zhaoyang Lin, Peiqi Wang, Chuancheng Jia, Shengxue Yang, Sung-Joon Lee, Wei Huang*, Yu Huang*, and Xiangfeng Duan*, Matter 2.4 (2020): 965-976.

  • SnSe/MoS2 van der Waals Heterostructure Junction Field-Effect Transistors with Nearly Ideal Subthreshold-Slope. Jian Guo†, Laiyuan Wang† (contributed equally), Yiwei Yu, Peiqi Wang, Yu Huang* and Xiangfeng Duan*, Adv. Mater. 31.49 (2019), 1902962.